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Niedrigste TK bei hohen Widerstandswerten |
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Im Spezialgebiet der Hochohm-Widerstände ist es der SRT Resistor Technology GmbH gelungen, bei der Temperaturstabilität zu neuen Grenzen vorzustoßen.
Bisher lagen die engsten Spezifikationen des Temperaturkoeffizienten (TK) im Hochohmbereich über 10 Megaohm bei ±25 ppm/K. Durch Ausnutzung der technologischen Möglichkeiten der Materialien und Fertigungsverfahren konnte dieser Wert bei den Baugrößen 2512
und 4020 im Widerstandsbereich bis 10 Gigaohm bis auf ±10 ppm/K reduziert werden.
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Hochtemperatur-Chipwiderstände bis 300°C |
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Ausgehend von langjährig
bewährten Fertigungsverfahren für Chipwiderstände kann SRT Resistor Technology
GmbH jetzt Chipwiderstände anbieten, die für Hochtemperaturanwendungen bis in
den Bereich von 300°C geeignet sind. Diese neue Möglichkeit ergibt sich aus der
Tatsache, dass diese Chipwiderstände kein organisches Material und im
Kontaktaufbau kein Nickel und Zinn enthalten. Vielmehr besteht der äußere
Kontakt dieser Widerstände aus einer hochwertigen PtAg-Legierung, die ebenso
wie die Widerstandsschicht bei ca. 850°C eingebrannt und mit dem
Keramiksubstrat versintert ist.
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Nichtmagnetische Chip-Widerstände und Chip–Kondensatoren |
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Die technologische Besonderheit dieser bei SRT
Resistor Technology GmbH und SRT Microcéramique Sarl hergestellten Bauelemente
beruht auf dem Material der Kontaktschichten, die kein Nickel enthalten und
damit unmagnetisch sind. Diese Kontaktschichten bestehen aus
Edelmetall-Legierungen wie PtAg oder PtPdAg in Form von Dickschicht-Pasten, die
im Walz- oder Tauchverfahren auf die Kontaktflächen der Bauelemente aufgebracht
und bei etwa 850ºC eingebrannt werden
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Hochohm-Chipwiderstände mit Präzisionsdaten |
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Durch eine Optimierung des Layouts und der Drucktechnik ist es SRT Resistor Technology GmbH gelungen, den Präzisionsbereich bei Hochohm-Chipwiderständen bis in den Bereich von 1 Gigaohm auszudehnen. Die verbesserten Eigenschaften der neuen Serie CHM mit den Baugrößen 0805 bis 2512 betreffen neben der Widerstandstoleranz vor allem die Temperatur- und Spannungskoeffizienten. So ist jetzt z.B. die Baugröße 1206 im Bereich bis 1 Gigaohm mit einem Temperatur-koeffizienten von 50 ppm/K und einem Spannungskoeffizienten von kleiner als 100 ppm/V verfügbar. Entsprechende Verbesserungen haben sich auch bei den anderen Baugrößen ergeben. |
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Aktuelles 
